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CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化学机械

抛光。CMP技术所采用的设备及消耗品包括:抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。

CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。该技术初是用于获取高质量的玻璃表面，如军用望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的"软磨硬"原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

2、第二种是物理+覆盖研磨

刚抛完的粗中划痕消失，有光亮效果，但在太阳光下有明显细微划痕和旋光，原因:部份划痕被蜡或树脂油性成份填补，而非真正去除;油性过大，抛光毛球行走纹路产生旋光。这种抛光方式极易在洗二三次车后划痕重现，具有较强的欺骗性。不知就理的店主和技师将非常烦恼!

3、第三种是比较 和少见的研磨技术

延时破碎抛光技术，研磨剂呈玻珠圆状，不会造成二次研磨划痕，同时漆面的温度较低;当抛光毛球高速运转与研磨剂产生一定的温度时，使研磨颗粒瞬间破碎,形成更细颗粒，有效对细微深层抛光，一步到位,越抛越亮，这种抛光技术即保证了效果，也 限度的杜绝了抛光对漆面的伤害(抛光必有伤害)!同时这类研磨剂不含蜡或树脂油性成份，抛出的光泽是漆面深邃的原漆光泽，冷光质感今人惊艳。