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中国中科院物理所上海硅酸盐研究所山东大学西安理工大学中国电子科技集团第四十六所等单位纷纷开展对SiC单晶的研究,在实验室中已生长出英寸约mm)的SiC单晶。相对于近年来SiC单晶生长技术取得的突破,加工技术有待提高。SiC单晶在机械加工阶段的关键工序为晶棒切片粗研磨精研磨抛光,研磨阶段主要是为了去除切割刀痕及切割引起表面加工变质层,降低表面粗糙度[]。其中,切片加工环节十分关键,初的成形加工,晶片总厚度偏差TTV)与翘曲度Warp)主要由切片工艺引起由于SiC单晶硬度高莫氏硬度为~,仅次于金刚石莫氏硬度)与脆性大的力学特性,使其切片加工难度很大,主要体现在:刀具磨损快,切割效率低,切片表面亚表面易出现微破碎缺陷。尤其是SiC单晶切片表面出现的异常深划痕和凹坑等缺陷,直接影响后续研磨工序加工质量,给磨抛工序带来极大的工作量。目前,SiC单晶切片厚度已薄到mm[],尺寸增大和切片厚度变薄给SiC单晶切片加工带来极大挑战。SiC单晶金刚石线锯切片技术传统的小直径晶体切片加工多采用外圆及内圆切片技术。